Производитель Номер продукта:
TSM2NB65CH X0G
Product Overview
Производитель:
Taiwan Semiconductor Corporation
Номер детали:
TSM2NB65CH X0G-DG
Описание:
MOSFET N-CHANNEL 650V 2A TO251
Подробное описание:
N-Channel 650 V 2A (Tc) 65W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Инвентаризация:
12898570
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TSM2NB65CH X0G Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Taiwan Semiconductor
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
5Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
390 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
65W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-251 (IPAK)
Упаковка / Чехол
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Дополнительная информация
Стандартный пакет
75
Другие названия
TSM2NB65CHX0G
TSM2NB65CH X0G-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
TK2Q60D(Q)
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
190
Номер части
TK2Q60D(Q)-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.28
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMN4035LQ-7
MOSFET N-CH 40V 4.6A SOT23
TSM5NC50CP ROG
MOSFET N-CHANNEL 500V 5A TO252
DMP2110U-13
MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23 T&R 1
